產(chǎn)品展示
?液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實現(xiàn)SiC單晶的生長，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長驅(qū)動力來實現(xiàn)晶體的生長。
◆ 直拉法晶體生長專用設(shè)備，可實現(xiàn)在高壓、真空和保護氣氛下直拉生長晶體 ◆ 采用自動稱重結(jié)構(gòu)，在保證晶體品質(zhì)的前提下實現(xiàn)了直拉晶體的自動生長過程