臥式爐

所屬分類：

擴散/氧化/退火

概要：

該設備是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝；主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

關鍵詞：

臥式爐

臥式爐

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

該設備是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝。

This equipment is one of the important process equipments in the front process of semiconductor production line,which is used for diffusion, oxidation, annealing, alloying and sintering in industries such as large-scale integrated circuits, discrete devices, power electronics, optoelectronic devices.

主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。

Mainly used for the preparation of various oxidizingmedium layers such as initial oxidation,gate oxidtaion layer,field oxidation layer,etc.

產(chǎn)品特點/Product Characteristics：

♦高潔凈度：包括材料、工藝環(huán)境等 High cleanliness: including materials, process environment, etc

♦高精度：包括爐內(nèi)溫度、進氣流量、排氣壓力、運動控制等 High precision: including furnace temperature, inlet flow, exhaust pressure, motion control, etc

♦高安全性：包括氣體泄漏檢測、氣流檢測、人機互鎖等 High safety: including gas leakage detection, airflow detection, man-machine interlocking, etc

技術指標/Technical Indicators：

♦晶片尺寸：6/8/12英寸 Wafer size: 6/8/12 inch

♦制程溫度范圍：300°C-1250°C Process temperature range: 300°C-1250°C

♦批次片數(shù): 100-150片 Batch capacity: 100-150 pcs

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SiC高溫氧化爐